プロトン中和剤概要

　LSIの高集積化と高速化に伴い、パターンルールのより一層の微細化が求められている今日、近年開発されてきている酸を触媒とした化学増幅型レジスト材料は解像度、ドライエッチング耐性が高く、上記目的を達成する優れた特徴を有しております。

しかしながら、化学増幅型レジストはレジスト材料の調整から使用まで間に冷暗所で 保管中でも酸の発生を完全に抑えることは困難であり、発生したプロトンとベース ポリマーが反応し、レジスト材料が劣化することが欠点として指摘されています。

従ってレジスト材料の保管中における暗反応により発生するプロトンをマイルドに 中和、捕捉しかつ露光時に酸脱離反応を阻害しない適度な反応性を有するプロトン中和剤が求められています。

そこで弊社では上記のような状況を鑑み、レジスト材料保管時の比較的マイルドな 条件下では暗反応で発生したプロトンと効率的に反応し、且つ露光時には プロトンとベースポリマーとの反応を阻害しない、適度な反応性を有するプロトン中和剤の開発に成功いたしました。

これらのプロトン中和剤は全て、弊社の最高技術で生み出される超高純度 DIBOC^®・DIAOC^®を使用し、また金属類を始めとするその他の不純物についても厳重な管理下で製造されますので、安心してご使用になれます。